氮化铝陶瓷基片

氮化铝材料具有170～180w/m-k的超导热性能，是导热材料的良好选择。

目前用于实际和开发应用的高导热基板有氧化铝、碳化硅、氧化钽、氮化铝、CVD-BN。虽然导热系数高，但电容大，电阻率低，绝缘性差。氧化物具有剧毒性，不利于实际使用。氮化硼难以烧结和致密，低密度氮化硼的导热性和机械强度迅速恶化，不可能形成绝缘材料。氮化铝陶瓷是一种新型的高技术陶瓷。氮化铝衬底具有极高的热导率、无毒、耐腐蚀、耐高温和良好的热化学稳定性等：氮化铝为六方体系和纤锌矿结构。纯产品为蓝白色，通常为灰色或灰白色。性能指标备注热性能热导率理论值320W/（mk）2到3倍于Al2O3实际产品值200W/（mk）热膨胀系数3.5*E-6/k（20°C）和Si（3.4*E-6）相似的电气性能绝缘性能带隙宽度6.2（20°C）良好的绝缘体介电常数8类似于Si（3.4*E-6）机械性能室温机械性能Hv=12Ga，E=314GPa，相当于Al2O3α=400~500MPa高温机械性能1300°C热压Si3N4下降约20c/o，Al2O3下降约50c/o其他对熔融金属和盐的优异耐腐蚀性，

氮化铝基板的优点：

AIN薄膜能显著改善磁性据社会上一些权威报纸报道，该杂志知道氮化铝主要用于大规模集成电路、半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件、，和互连载体。它也是提高聚合物材料导热性和力学性能的最佳添加剂。氮化铝陶瓷还可用作冶炼有色金属和半导体材料、砷化镓、热电偶保护、高温绝缘、微波介质材料、耐高温、，耐腐蚀结构陶瓷和透明氮化铝微波陶瓷产品用作高导热陶瓷和树脂填料的原料。氮化铝是一种具有良好介电性能的电绝缘体。砷化镓表面的氮化铝涂层保护其在退火过程中免受离子注入。用作高导热陶瓷的原料、氮化铝陶瓷基板的原料、树脂填料等。氮化铝粉末纯度高、粒径小、活性高，是制造高导热氮化铝陶瓷基板的主要原料。

氮化铝陶瓷基板具有导热系数高、膨胀系数低、强度高、耐高温、耐化学腐蚀、电阻率高、介电损耗小等优点，是一种理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

氮化铝硬度高，超过传统氧化铝。它是一种新型耐磨陶瓷材料。但是，由于其成本高，只能用于严重磨损的零件。

采用AIN陶瓷，具有耐热性、抗熔融侵蚀性和抗热震性。可生产砷化镓晶体坩埚、铝蒸发皿、磁流体发电装置及高温汽轮机耐腐蚀部件，光学性能可作为红外窗口。氮化铝膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基板等。

氮化铝耐热，耐熔融金属侵蚀，耐酸性稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新鲜表面暴露于潮湿空气中，并发生反应形成非常薄的氧化膜。利用这种特性，它可以用作坩埚和压铸模具材料，用于冶炼铝、铜、银和铅等金属。AIN陶瓷具有良好的金属化性能，可作为有毒氧化物敏感陶瓷的替代品广泛应用于电子工业。氮化铝+氮→2将铝粉置于反应炉中，将氮气和氨气的反应加热至600°C以开始反应。这是一种合成大量高纯度氮化铝粉末的简单而直接的方法，没有副作用，并且已经大规模生产。然而，该方法通常使得难以获得具有以下特性的氮化铝粉末：

AIN substrate has been made for vacuum plate for LED wafer to absorb heat as fast as possible and consistency maintain 273°C and above.

This Aluminium Nitride ceramic material must not melt or shape change at this heating point.